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- Carbon Chain의 탄소(C)와 수소(H) 결합에서 수소가 모두 불소(F)로 대체 결합된 화합물(CF4, C2F6 등) (출처: WIKIPEDIA)
- 반도체, LCD 제조 공정(Etching 및 CVD 공정)에 사용되는 과불화화합물(SF6, NF3 등을 포함한)을 총칭
- 매우 안정적, 대부분 인체에 무해, 분해시간이 길다(SF6 : 3,200년)
- 지구 온난화에 많은 영향을 미치는 물질 |
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| 주요 사용처 |
주요 공정 |
사용 가스 |
반도체 & LCD Panel
제조 공정 |
Etching
공정 |
Vapor Etching |
HCl, HF, HBr, SF6, Cl2 |
Plasma Etching |
SiF4, CF4, C3F8, C2F6, CHF3, CClF3, O2 |
Ion Beam Etching |
C3F8, CHF3, CClF3, CF4 |
Cleaning |
NF3, CF4, C2F6, C3F8, SF6 |
CVD 공정
(Epitaxy)
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SiH4, SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4, GeH4, B2H6, BBr3, BCl3,
AsH3,
PH3, TeH2, SnCl4, GeCl4, WF6. NH3, CH4, Cl2, MoF6
(Carrier Gas : High Purified H2, N2) |
| 태양전지 제조 공정 |
Etching 공정 |
NF3, CF4, C2F6, C3F8, SF6 |
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- 가스량 : 10~80 CMM(공정별, 배기분리에 따라 변동)
- 가스 온도 : 30~40℃
- PFCs 농도 : 1,000~1,500 ppmV (LCD 제조 공정)
- SiF4 + 2H2O → 4 HF + SiO2 (5μm 이하의 미세 분진)
- CVD 공정에서 다량의 SiO2 분진 발생
- SiO2 분진으로 설비의 효율저하 및 유지 보수 발생
- Design Key Factor : SiO2 Dust, Mist의 고효율 처리 |
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※ 반도체 및 LCD 제조 공정의 PFCs 처리설비 검토 시 중요 Point
1) 적절한 배기 분리로 배가스 풍량 최소화
2) 경쟁력 있는 초기 투자비
3) 전처리 설비 효율 유지 방안(SiO2, Dust, Mist)
4) PFCs 처리 효율 극대화 s
5) 운전 및 유지보수 비용 최소화
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사업분야
