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成套设备

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- 全氟化碳指氟置换碳氢结合中的氢产生的化合物，有CF4, C2F6等
- 在半导体和液晶面板的生产领域中统称用于蚀刻及CVD(化学气相积淀)工艺的全氟化物(包括SF6, NF3等)
- 大部分PFCs化学性质稳定，对人体无直接危害，长时间留在大气中(SF6: 3200年)
- 温室效应极高的物质.

主要适用领域	主要工艺		使用气体
芯片 & 液晶面板制造	蚀刻工艺	Vapor Etching	HCl, HF, HBr, SF6, Cl2
		Plasma Etching	SiF4, CF4, C3F8, C2F6, CHF3, CClF3, O2
		Ion Beam Etching	C3F8, CHF3, CClF3, CF4
		Cleaning	NF3, CF4, C2F6, C3F8, SF6
	CVD 工艺 (Epitaxy)		SiH4, SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4, GeH4, B2H6, BBr3, BCl3, AsH3, PH3, TeH2, SnCl4, GeCl4, WF6. NH3, CH4, Cl2, MoF6 (Carrier Gas : High Purified H2, N2)
太阳光伏	蚀刻工艺		NF3, CF4, C2F6, C3F8, SF6

- 废气量 : 按工序, 排放分类程度不同 (10CMM~80CMM)
- 废气温度 : 30~40℃
- PFCs 浓度 : 1,000~2,000 ppmV
- 混杂SiF4
- SiF4遇到水分，产生SiO2粉尘
- SiO2 为 50μm以下的粉尘状态，其中80%以上是小于 5μm的微细粉尘
- 前处理设备的设计重点考虑SiO2高效处理
- 普通前处理设备通常因 SiO2 粉尘处理效率低，造成后端分解设备的效率降低，增加维护
- 比起蚀刻工艺，CVD 工艺产生更多的粉尘

※ 半导体及液晶面板制造工艺的 PFCs 处理设备的前期研讨重点

1) 根据废气的特性及浓度，分开排放，将处理废气的风量最小化
2) 降低前期投资费
3) 考虑前处理设备的设计及效率
4) 处理效率的最大化
5) 运行及维护费用的最小化

1) 稳定地保持较高的 PFCs 处理效率 (95% 以上)
2) 应用蓄热式热回收系统及专用 PFCs分解催化剂，大幅降低能源消耗 (比直接燃烧节省 90%)
3) 相比POU 设备，前期投资减少

项目	蓄热式催化分解方式 RCS(Regenerative Catalytic System)	直接燃烧方式 DTS(Direct Thermal System)
设备组成	Process → Pre-treatment → Inlet Valve → RCS → Outlet Valve → Post-treatment → Fan → ATM	Process → Pre-treatment → Heat Exchanger → Combustion Chamber → Waste Heat Boiler → Heat Exchanger → Quencher → Post-treatment → Fan → ATM
设备组成
工作温度	700~800℃	1,200~1,300℃
热效率	~ 96%	~ 65%
天然气使用量	1 Nm3/hr	10 Nm3/hr
设备压力损失	约 200mmAq	约 300mmAq
压力变动	±20mmAq	±20mmAq
处理效率	90% 以上	90% 以上
颗粒影响	流入颗粒(SiO2)时影响蓄热材料和催化剂的工作	粒子(SiO2) 流入时影响热交换器和废热锅炉的工作
项目投资	直接燃烧设备的45%左右	-

＊Note : Capacity 10NCMM 为基准